[发明专利]一种铝硅铜薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201010271212.5 | 申请日： | 2010-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102383097A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 赵波;刘玮荪 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/16;C23C14/54 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种铝硅铜薄膜的制备方法，属于半导体制造技术领域，包括如下步骤：步骤一、提供一硅衬底；步骤二、在所述硅衬底上，第一温度下淀积第一层铝硅铜薄膜；步骤三、在所述第一层铝硅铜薄膜上、第二温度下淀积第二层铝硅铜薄膜。本发明提供的铝硅铜薄膜的制备方法在满足器件对于铝硅铜薄膜在接触孔的台阶覆盖能力的要求同时使得铝硅铜薄膜与硅衬底接触界面处析出的硅颗粒密度和大小大大降低，从而减少了界面的接触电阻，降低了器件失效的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铝硅铜 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铝硅铜薄膜的制备方法，包括：步骤一、提供一硅衬底；步骤二、在所述硅衬底上，第一温度下淀积第一层铝硅铜薄膜；步骤三、在所述第一层铝硅铜薄膜上、第二温度下淀积第二层铝硅铜薄膜。
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