[发明专利]一种无电容低压差稳压器结构有效

专利信息
申请号: 201010271214.4 申请日: 2010-09-01
公开(公告)号: CN102385406A 公开(公告)日: 2012-03-21
发明(设计)人: 段新东 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 王洁
地址: 201203 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种无电容低压差稳压器,包括一级放大器、二级缓冲器、分压电路和输出晶体管,并在二级缓冲器的共漏放大电路输出端和地之间引入一阻抗器件,该阻抗器件为有源电阻或无源电阻器件,用于增大二级缓冲器的输出电阻,有效控制无电容低压差稳压器的阻尼系数,减少复极点对主极点的影响,实现无电容低压差稳压器的频率补偿,在不需额外增加电容器件的情况下,保证低压差输出电压的精确、稳定和低噪音,且可用于单片集成,并驱动更大电容负载的电路。
搜索关键词: 一种 电容 低压 稳压器 结构
【主权项】:
一种无电容低压差稳压器,包括:一级放大器(100)、二级缓冲器(200)、分压电路(300)和输出晶体管(Mpower),其中:所述一级放大器(100)的两输入端分别连接参考电压Vref和所述分压电路(300)的分压点(A),其输出端(B)连接所述二级缓冲器(200)的输入端;所述分压电路(300)连接在输出端(O)和地之间;所述输出晶体管(Mpower)栅极连接所述二级缓冲器(200)输出端(C),源极输入电源电压(VDD),漏极连接电压输出端(O);其特征在于,所述二级缓冲器(200)包括:共漏放大电路和第三晶体管(M3),所述共漏放大电路包括第一晶体管(M1)和第二晶体管(M2),二者栅极连接在一起,源极均输入电源电压(VDD),所述第二晶体管(M2)漏极连接二级缓冲器(200)输出端(C);所述第三晶体管(M3)栅极输入第一控制电压(VB1)为所述共漏放大电路提供电流值恒定的偏置电流,且所述共漏放大电路输出端(C)和所述第三晶体管(M3)之间连接一阻抗器件(Ma)。
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