[发明专利]一种平面结构的磷化铟基PIN开关二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种平面结构的磷化铟基PIN开关二极管及其制备方法，其结构包括：半绝缘的磷化铟衬底上面依次为InP缓冲层、N型InGaAs高掺杂层、I型InGaAs不掺杂层以及采用碳重掺杂的P型InGaAs高掺杂层；P型高掺杂层上沉积低介电常数材料保护层，二极管的阳极和阴极处于保护层之上的同一平面，通过开窗口分别与P型和N型高掺杂层形成欧姆接触；阳极的接触电极和引出电极之间连接区域的下方刻蚀有沟槽可实现平面的空气桥结构。利用本发明，在不影响器件关断电容的情况下能有效降低导通电阻，同时，平面结构有效降低了工艺难度，提高了工艺成品率，更有利于实现开关二极管的互联集成以及开关单片电路的制备。

主权项

一种平面结构的磷化铟基PIN开关二极管，其特征在于，包括：InP衬底；位于所述InP衬底之上的InP缓冲层；位于所述InP缓冲层之上的N型InGaAs高掺杂层；位于所述N型InGaAs高掺杂层之上的I型InGaAs不掺杂层；位于所述I型InGaAs不掺杂层之上的P型InGaAs高掺杂层；位于所述P型InGaAs高掺杂层之上的保护层；制备于所述保护层上的处于同一平面的阳极电极和阴极电极；其中，在所述保护层上开设有向下延伸至P型InGaAs高掺杂层的阳极窗口，所述阳极电极通过该阳极窗口与所述P型InGaAs高掺杂层形成欧姆接触；所述保护层上还开设有向下延伸至N型InGaAs高掺杂层的阴极窗口，所述阴极电极通过该阴极窗口与所述N型InGaAs高掺杂层形成欧姆接触；所述阳极电极与所述阴极电极之间开设有向下延伸至N型InGaAs高掺杂层的隔离槽；所述阳极电极包括接触电极部分和引出电极部分，在该接触电极部分和引出电极部分连接区域的下方开设有向下延伸至InP缓冲层的沟槽，使该连接区域悬空。