[发明专利]LED芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201010271482.6 | 申请日： | 2010-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN101944563A | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 王远红;许亚兵;林振贤;何大庆 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明 |
| 地址： | 410007 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种大功率芯片及其制备方法，该芯片的N型氮化镓层侧壁与衬底之间形成一定角度的倒角，从而减少了侧面出光被吸收导致的损失，并且使侧面光反射至正面射出，提高了外量子效率。本发明还提供了制备该电极的方法。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，其结构自下而上依次为衬底(1)、N型氮化镓层(2)、有源层(3)、P型氮镓层(4)、透明电极(5)，其特征在于，所述N型氮化镓层(2)的侧面与所述衬底(1)之间形成倒角，所述倒角在40°‑70°的范围内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘能华磊光电股份有限公司，未经湘能华磊光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010271482.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电热水器噪声式防触电防干烧保护器
- 下一篇：太阳能光伏组件接线盒
