[发明专利]一种去除LED芯片电极的方法有效
| 申请号： | 201010271484.5 | 申请日： | 2010-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN101944562A | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 谈健;许亚兵;林振贤;何大庆 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明 |
| 地址： | 410007 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种去除LED芯片电极的方法，包括如下步骤：去除覆盖在LED芯片电极边缘的保护层；去除保护层后，在铬蚀刻液中浸泡芯片；将浸泡好的芯片取出，清洗并吹干；将蓝膜或白膜贴在吹干后的芯片表面上后，将蓝膜或白膜撕开。本发明提供的方法具备很高的选择性，对于LED芯片结构的其他部分没有影响，并且保留了原始的ITO层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 led 芯片 电极 方法 | ||
【主权项】：
一种去除LED芯片电极的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：去除覆盖在所述芯片电极边缘的保护层；去除所述保护层后，在铬蚀刻液中浸泡所述芯片；将所述芯片取出，清洗并吹干；将蓝膜或白膜贴在吹干后的芯片表面上；揭撕所述蓝膜或白膜；其中，所述铬蚀刻液是硝酸铈铵、稀硝酸和水的混合溶液。
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