[发明专利]测量电阻存储器器件的电阻的方法和执行该方法的系统无效
| 申请号： | 201010271538.8 | 申请日： | 2010-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN102004197A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 金荣国;朴美林;堀井秀树;徐东硕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00;G01R27/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 钱大勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种测量电阻存储器器件中的存储器单元的电阻的方法可以通过如下提供：把数据写脉冲施加到所述电阻存储器器件的被选择的单元；在自施加所述写数据脉冲的时刻测量的一段延迟时间以后，把电阻读脉冲施加到所述被选择的单元；测量响应于当把所述电阻读脉冲施加到所述被选择的单元时输出的脉冲波形在所述单元的下降电压；使用所述下降电压和耦合到所述单元的测试设备的内阻测量通过所述单元的总电流；以及，使用所述总电流和所述电阻读脉冲的电压确定所述电阻存储器器件的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 电阻 存储器 器件 方法 执行 系统 | ||
【主权项】：
一种测量电阻存储器器件中的存储器单元的电阻的方法，所述方法包含：把数据写脉冲施加到所述电阻存储器器件的被选择的单元；在自施加所述数据写脉冲的时刻起测量的一段延迟时间以后，把电阻读脉冲施加到所述被选择的单元；测量响应于当把所述电阻读脉冲施加到所述被选择的单元时输出的脉冲波形在所述单元的下降电压；使用所述下降电压和耦合到所述单元的测试设备的内阻测量通过所述单元的总电流；和使用所述总电流和所述电阻读脉冲的电压确定所述电阻存储器器件的电阻。
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