[发明专利]场效应晶体管器件无效
| 申请号： | 201010272099.2 | 申请日： | 2010-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN102386170A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 柳志达 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种场效应晶体管器件，包括一晶体管本体、一栅极、一源极、一漏极、一电容及一电阻，该电容及电阻串联后连接在该栅极及源极之间，且该电容及电阻通过封装形式与该晶体管本体、栅极、源极及漏极整合在一起。该场效应晶体管器件具有自身保护机制。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管器件，包括一晶体管本体、一栅极、一源极及一漏极，其特征在于：该场效应晶体管器件还包括一电容及一电阻，该电容及电阻串联后连接在该栅极及源极之间，且该电容及电阻通过封装形式与该晶体管本体、栅极、源极及漏极整合在一起。
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