[发明专利]用于铜柱结构的自对准保护层有效
| 申请号： | 201010272216.5 | 申请日： | 2010-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102005417A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 刘重希;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;熊须远 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种形成在钝化层中的铜柱，用以与下部的接合焊盘区域电连接，并且延伸以从钝化层中突出。保护层以自对准方式形成在铜柱的侧壁表面和顶表面。保护层是含锰氧化层、含锰氮化层或者含锰氮氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 结构 对准 保护层 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：半导体衬底；所述半导体衬底上的接合焊盘区域；在所述接合焊盘区域上并与所述接合焊盘区域电连接的含铜柱；以及所述含铜柱表面上的保护层，其中，所述保护层包括锰(Mn)。
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