[发明专利](103)取向的钇钡铜氧高温超导薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201010272544.5 | 申请日： | 2010-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102383191A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 苏晓东 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B23/06;C30B29/22;H01B12/06;C04B35/45 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 221138 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种(103)取向的钇钡铜氧(YBa2Cu3O7-δ，YBCO)高温超导薄膜的制备方法，该方法以YBCO为靶材，利用真空沉积装置，在2～10Pa的压强、800～850℃的温度下在(100)取向的MgO单晶基片上沉积外延生长YBCO超导薄膜。在上述条件下，两个(103)取向的YBCO晶格和三个(100)取向的MgO的晶格有比较接近的晶格匹配关系，因此，实现了在(100)取向的MgO单晶基片直接原位外延生长(103)取向的YBCO高温超导薄膜。实验结果表明，本发明制备的钇钡铜氧高温超导薄膜具有良好的(103)择优方向，薄膜表面平整，结晶性好，超导临界转变在90K左右。 | ||
| 搜索关键词： | 103 取向 钇钡铜氧 高温 超导 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种(103)取向的钇钡铜氧高温超导薄膜的制备方法，其特征在于，包括：将(100)取向的MgO单晶基片放置在真空沉积装置生长室的样品台；以YBa2Cu3O7‑δ为靶材，先抽生长室真空度至10‑3～10‑6Pa之间，再向所述生长室中通入氧气至2～10Pa的压强、样品台温度加热至800～850℃区间，在所述(100)取向的MgO单晶基片上沉积生长出(103)取向的钇钡铜氧高温超导薄膜。
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