[发明专利]上转换材料应用于晶硅电池中的方法无效
| 申请号： | 201010272941.2 | 申请日： | 2010-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN102386271A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 郭明星;熊胜虎;孔慧;周世斌;何涛 | 申请（专利权）人： | 上海交大泰阳绿色能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/048 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭国中 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种上转换材料应用于晶硅电池中的方法，在所述电池组件封装用的乙烯与醋酸乙烯脂的共聚物(EVA)或聚乙烯醇缩丁醛(PVB)中，掺杂上转换材料，且掺杂的该材料的重量百分比为0-20wt％。掺杂有上述的上转换材料，在电池组件制造过程中，因热工艺过程不会导致上转换材料的功能缺失或大幅降低。当太阳光从表层超白玻璃透过进入乙烯与醋酸乙烯脂的共聚物(EVA)或聚乙烯醇缩丁醛(PVB)材料时，能够将近红外光转换成可见光，以增加太阳能电池光的吸收，从而提高太阳能电池的光电转换效率。而且将会大大简化复杂的上转换光谱材料的应用工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 转换 材料 应用于 电池 中的 方法 | ||
【主权项】：
一种上转换材料应用于晶硅电池中的方法，其特征在于：在所述电池组件封装用的乙烯与醋酸乙烯脂的共聚物或聚乙烯醇缩丁醛中，掺杂上转换材料，且掺杂的该材料的重量百分比为0‑20wt％。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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