[发明专利]功率均布型三相可控硅主回路及其应用方法

摘要

本发明属于三相可控硅换相电路技术领域，特别是涉及一种功率均布型三相可控硅主回路及其应用方法。主回路包括一对可控硅器件封装在一起的可控硅模块，由与电源U相相联接的可控硅模块M1、M2，与电源V相相联接的可控硅模块M3、M4，与电源W相相联接的可控硅模块M5、M6所组成，应用方法包括输出正相序电压和输出逆相序电压。采用本发明，由于电流分布均匀，在同样负载电流下，减小了可控硅器件的发热量，有效地利用了可控硅模块和散热器空间，减少了可控硅器件在运行中的局部高温，大大延长了可控硅器件的工作寿命，提高了主回路器件的可靠性。

主权项

一种功率均布型三相可控硅主回路，包括一对可控硅器件封装在一起的可控硅模块，其特征在于由与电源U相相联接的可控硅模块M1、 M2，与电源V相相联接的可控硅模块M3、 M4，与电源W相相联接的可控硅模块M5、 M6所组成， 1）电源U相与可控硅模块M1中的正向可控硅D2的阳极和可控硅模块M2中的正向可控硅D4的阳极相联接，电源U相的输出端Uo与可控硅模块M1中的反向可控硅D1的阳极和可控硅模块M2中的正向可控硅D4的阴极相联接，2）电源V相与可控硅模块M3中的正向可控硅D6的阳极和可控硅模块M4中的正向可控硅D8的阳极相联接，电源V相的输出端Vo与可控硅模块M3中的反向可控硅D5的阳极、可控硅模块M4中的正向可控硅D8的阴极、可控硅模块M5中的正向可控硅D10的阴极以及可控硅模块M6中的反向可控硅D11的阳极相联接，3）电源W相与可控硅模块M5中的正向可控硅D10的阳极和可控硅模块M6中的正向可控硅D12的阳极相联接，电源W相的输出端Wo与可控硅模块M3中的正向可控硅D6的阴极、可控硅模块M4中的反向可控硅D7的阳极、可控硅模块M5中的反向可控硅D11的阳极以及可控硅模块M6中的正向可控硅D12的阴极相联接。