[发明专利]集成电路装置、存储装置及其制造方法

摘要

本发明提供了一种集成电路装置、存储装置及其制造方法，包括具有较佳抗反向穿隧能力的浮置栅存储单元的一浮置栅结构的电路与方法。该存储装置包括一浮置栅设置于包括一浮置栅的一半导体基板之上，并形成有一电荷捕捉介电层与一控制栅。此浮置栅结构具有垂直侧壁，其一侧邻近于一源极区以及一侧邻近于一漏极区。于浮置栅结构的源极侧与漏极侧的侧壁上皆形成有一对称侧壁介电层。一非对称侧壁介电层则仅形成于漏极侧侧壁之上。本发明使用位于漏极侧侧壁上的此非对称侧壁介电层具有较佳的抗反向穿隧能力。

主权项

一种存储装置，包括：一半导体基板；至少一浮置栅结构，具有多个垂直侧壁且包括：一浮置栅，设置于该半导体基板之上；一第一介电层，设置于该浮置栅之上；一控制栅，设置于该第一介电层之上；至少一介电层，设置于该控制栅之上；一第一对称垂直侧壁介电层，设置于该至少一浮置栅结构的所述多个垂直侧壁的一源极侧侧壁以及一漏极侧侧壁之上；以及一第二非对称垂直侧壁介电层，设置于位于该浮置栅结构的该源极侧侧壁上的该第一对称垂直侧壁介电层之上。