[发明专利]一种具有电流阻挡层氮化镓基发光二极管的制作方法有效

专利信息
申请号: 201010273166.2 申请日: 2010-09-06
公开(公告)号: CN101969089A 公开(公告)日: 2011-02-09
发明(设计)人: 潘群峰;吴志强;黄少华 申请(专利权)人: 厦门市三安光电科技有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 厦门原创专利事务所 35101 代理人: 徐东峰
地址: 361009 福建省厦*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 一种具有电流阻挡层氮化镓基发光二极管的制作方法,在蓝宝石衬底上自下而上依次由n型氮化镓基外延层、有源层、p型氮化镓基外延层和非掺杂氮化镓基外延层构成成氮化镓基发光外延层;在氮化镓基发光外延层之上定义电流阻止区,在电流阻止区的非掺杂氮化镓基外延层之上镀一金属层作为掩膜以覆盖整个电流阻止区;采用电化学蚀刻将电流阻止区之外的非掺杂氮化镓基外延层去除;去除掩膜金属层;在p型氮化镓基外延层和非掺杂氮化镓基外延层上制作透明导电层;在电流阻止区范围内的透明导电层上制作p电极。利用电化学蚀刻选择性定义电流阻挡层,避免了干法蚀刻带来的损伤和钝化问题,获得基于非掺杂外延层的具有电流阻挡效应的氮化镓基发光二极管。
搜索关键词: 一种 具有 电流 阻挡 氮化 发光二极管 制作方法
【主权项】:
一种具有电流阻挡层氮化镓基发光二极管的制作方法,其特征在于包括如下工艺步骤:1)   在蓝宝石衬底上形成氮化镓基发光外延层,自下而上依次由n型氮化镓基外延层、有源层、p型氮化镓基外延层和非掺杂氮化镓基外延层组成;2)   在氮化镓基发光外延层之上定义电流阻止区,并在电流阻止区的非掺杂氮化镓基外延层之上镀一金属层作为掩膜以覆盖整个电流阻止区;3)   采用电化学蚀刻方式将电流阻止区之外的非掺杂氮化镓基外延层去除;4)   去除掩膜金属层;5)   在p型氮化镓基外延层和非掺杂氮化镓基外延层之上制作透明导电层;6)   在电流阻止区范围内的透明导电层之上制作p电极。
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