[发明专利]发光二极管的封装结构及封装方法无效

专利信息
申请号: 201010273446.3 申请日: 2010-09-03
公开(公告)号: CN102386318A 公开(公告)日: 2012-03-21
发明(设计)人: 谢恊伸;陈朝旻;林立凡;陈世鹏;陈煌坤 申请(专利权)人: 台达电子工业股份有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开一种发光二极管的封装结构及封装方法,该封装结构包含承载基板,具有上下表面及第一贯穿结构;第一电性传导结构,形成于第一贯穿结构中及承载基板的部分上及下表面;发光二极管,设置于承载基板上方;绝缘层,形成于承载基板上方及发光二极管两侧,且具有第二贯穿结构,其对应第一电性传导结构;第二电性传导结构,形成于第二贯穿结构中及部分绝缘层上,并连接发光二极管的电极,使发光二极管及承载基板的上下表面通过第一电性传导结构及第二电性传导结构达到电性连结;以及光穿透结构,形成于发光二极管及第二电性传导结构上方。
搜索关键词: 发光二极管 封装 结构 方法
【主权项】:
一种发光二极管的封装结构,其包含:承载基板,其具有上表面、下表面及至少一第一贯穿结构;至少一第一电性传导结构,其形成于该第一贯穿结构中及该承载基板的部分该上表面及部分该下表面;发光二极管,其设置于该承载基板上方;绝缘层,其形成于该承载基板上方及该发光二极管两侧,且具有至少一第二贯穿结构,该第二贯穿结构对应该第一电性传导结构而设置;以及至少一第二电性传导结构,其形成于该第二贯穿结构中及部分该绝缘层上,并连接该发光二极管的一电极,使该发光二极管及该承载基板的该上、下表面通过该第一电性传导结构及该第二电性传导结构达到电性连结。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台达电子工业股份有限公司,未经台达电子工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010273446.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top