[发明专利]制造包含微结构化或纳米结构化的元器件的构件的方法无效

专利信息
申请号: 201010273807.4 申请日: 2010-09-03
公开(公告)号: CN102009946A 公开(公告)日: 2011-04-13
发明(设计)人: A·库格勒;R·埃伦普福特;M·布鲁恩德尔;F·哈格;F·桑德迈耶;U·肖尔茨 申请(专利权)人: 罗伯特·博世有限公司
主分类号: B82B3/00 分类号: B82B3/00;B81C1/00;B81B7/02;G01L9/00;G01F1/684;G01D5/12;G01P15/08
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李永波;汲长志
地址: 德国斯*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及一种用于制造包含微结构化或纳米结构化的元器件的构件的方法,包括步骤:提供载体(1),其包括施加在载体(1)上的连接层(2),在连接层(2)的表面上施加另一个层(3),其中该另一个层(3)包括导电的区域,该另一个层(3)包括至少两个上下设置的不同的层并且在一个层中存在的导电区域面对着载体,在该另一个层(3)的顶面上施加至少一个微结构化或纳米结构化的元器件(4,4’),用包封材料(6)至少部分地包封微结构化或纳米结构化的元器件(4,4’)并且从连接层(2)上分离所获得的、包括包封材料(6),至少一个微结构化或纳米结构化的元器件(4,4’)和另一个层(3)的复合体。
搜索关键词: 制造 包含 微结构 纳米 结构 元器件 构件 方法
【主权项】:
用于制造包含微结构化或纳米结构化的元器件(4,4’)的构件的方法,包括步骤:‑提供载体(1),包括施加在载体(1)上的连接层(2);‑在连接层(2)的表面上施加另一个层(3),其中该另一个层(3)包括导电的区域,该另一个层(3)包括至少两个上下设置的不同的层并且在一个层中存在的导电的区域面对着载体;‑在该另一个层(3)的表面上施加至少一个微结构化或纳米结构化的元器件(4,4’);‑用包封材料(6)至少部分地包封微结构化或纳米结构化的元器件(4,4’);‑从连接层(2)上分离所获得的、包括包封材料(6)、至少一个微结构化或纳米结构化的元器件(4,4’)和另一个层(3)的复合体。
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