[发明专利]用于相变存储器的具有复合掺杂的相变结构无效
| 申请号： | 201010273818.2 | 申请日： | 2010-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN102013455A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 龙翔澜;陈介方;施彦豪;郑怀瑜;赖二琨;李明修;马修·J·布雷杜斯克;西蒙·拉梧;林仲汉 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种存储器装置，其在第一电极与第二电极之间使用经复合掺杂的相变材料。由相变材料制成的存储器元件位在第一电极与第二电极之间，并具有主动区，相变材料例如是硫属化合物。相变材料具有第一掺质，例如氧化硅，其特征为倾向于在主动区中的晶粒边界上自相变材料分离。相变材料具有第二掺质，例如硅，其特征为引起在主动区中相变材料的再结晶温度的增加，及/或抑制在主动区中的相变材料中空穴的形成。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储器 具有 复合 掺杂 结构 | ||
【主权项】：
一种存储器装置，包括：一第一电极及一第二电极；以及一相变材料，在该第一电极与该第二电极之间，且具有一主动区，该相变材料具有一第一掺质及一第二掺质，该第一掺质的特征为倾向于在该主动区中的晶粒边界上自该相变材料分离，该第二掺质的特征为在该主动区中引起再结晶温度的增加。
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