[发明专利]半导体装置及其驱动方法有效
| 申请号： | 201010273937.8 | 申请日： | 2007-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101976684A | 公开（公告）日： | 2011-02-16 |
| 发明（设计）人： | 森田竜夫;柳原学;石田秀俊;上本康裕;上野弘明;田中毅;上田大助 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L27/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其驱动方法。该半导体装置包括：形成在衬底(11)上、具有沟道区域的半导体层叠层体(13)，在半导体层叠层体(13)上相互有间隔地形成的第一电极(16A)和第二电极(16B)，形成在第一电极(16A)和第二电极(16B)之间的第一栅电极(18A)，以及形成在第一栅电极(18A)和第二电极(16B)之间的第二栅电极(18B)。在半导体层叠层体(13)和第一栅电极(18A)之间形成有具有p型导电性的第一控制层(19A)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其中：该半导体装置包括：半导体层叠层体，形成在衬底上、具有沟道区域且由氮化物半导体或由碳化硅形成的半导体构成，第一电极与第二电极，相互间有间隔地形成在所述半导体层叠层体上，第一栅电极与第二栅电极，该第一栅电极形成在所述第一电极与所述第二电极之间，该第二栅电极形成在该第一栅电极和所述第二电极之间，形成在所述半导体层叠层体与所述第一栅电极之间、具有p型导电性的第一控制层；该半导体装置，通过以所述第一电极的电位为基准将高于所述第一栅电极的阈值电压的电位施加在所述第一栅电极上，以所述第二电极的电位为基准将所述第二栅电极的阈值电压以下的电位施加在所述第二栅电极上，而成为电流从所述第二电极流向所述第一电极、电流不从所述第一电极流向所述第二电极的逆阻止状态；该半导体装置，通过以所述第一电极的电位为基准将所述第一栅电极的阈值电压以下的电位施加在所述第一栅电极上，以所述第二电极的电位为基准将所述第二栅电极的阈值电压以下的电位施加在所述第二栅电极上，而成为在所述第一电极与所述第二电极之间任何一个方向上电流都不流动的切断状态。
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