[发明专利]一种In2O3/SnO2多孔道结构气敏材料的制备方法有效
| 申请号： | 201010274183.8 | 申请日： | 2010-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN101967054A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 周晓龙;曹建春;陈敬超;阮进;于杰;杜焰;沈黎;吴大平;熊大民 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/622 |
| 代理公司： | 昆明正原专利代理有限责任公司 53100 | 代理人： | 金耀生 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明是一种In2O3/SnO2多孔道结构气敏材料的制备方法。将市售In2O3和SnO2粉按4∶1或7∶3或3∶2的比例在钢模中进行压制成素坯，然后将素坯装入氧气氛烧结炉中进行固相烧结，最终获得多孔道结构In2O3/SnO2气敏材料。该方法通过对烧结温度的调控来获得孔型规整的微米及亚微米级孔道结构In2O3/SnO2气敏材料，一方面通过多孔道结构增加比表面积以提高气敏性，另一方面通过调控In2O3/SnO2的量来提高对不同气体的选择性。最终获得灵敏度高、选择性强的多孔道结构气敏材料。本发明所采用的方法具有原料准备简单、成本低、易控制、生产清洁等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 in sub sno 多孔 结构 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种In2O3/SnO2多孔道结构气敏材料的制备方法，其特征在于：将市售In2O3和SnO2粉按4∶1或7∶3或3∶2的比例在钢模中压制成素坯，然后将素坯装入氧气氛烧结炉中进行固相烧结，获得多孔道结构In2O3/SnO2气敏材料；原位烧结生长氧气氛烧结条件：升温速率50‑500℃/h；保温分为两段，第一段温度范围600‑700℃，第二段温度范围1250‑1450℃；保温时间1‑5小时；氧气流量3‑8L/min。
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