[发明专利]RFLDMOS器件中栅极的制备方法

摘要

本发明公开了一种RFLDMOS器件中栅极的制备方法，其为在制备低电阻金属栅极的基础上还制备出的包裹栅极和漏极的金属浮栅结构，该结构可以有效地对高频信号进行屏蔽。

主权项

一种RFLDMOS器件中栅极的制备方法，其特征在于，在硅片上制备形成源区、漏区和多晶硅栅极之后，包括如下步骤：1)在硅片上沉积绝缘介质层作为硬掩模层；2)之后在硅片上填充光刻胶、有机填充材料或有机抗反射材料形成填充层；3)去除栅极上方的填充层，露出多晶硅栅极上的硬掩膜层；4)干法刻蚀去除所述多晶硅栅极上的硬掩模层，之后去除剩余的填充层；5)淀积与硅形成合金的金属层；6)采用退火处理，使金属层的金属与多晶硅形成硅合金；7)去除未反应的金属层；8)依次在硅片上沉积第二绝缘介质层及第二金属层；9)光刻及刻蚀所述第二金属层，形成覆盖部分所述多晶硅栅极与所述漏区的金属浮栅。