[发明专利]一种用于后栅工艺的平坦化方法及其器件结构

摘要

本发明提出一种用于MOS器件后栅工艺的平坦化方法及其结构，即在MOS器件的后栅工艺加工中，利用CMP工艺平坦化层间介质层，利用刻蚀技术去除假栅堆叠层上的硬掩膜层，从而实现精确控制假栅及金属栅高度的目的。此外，本发明的MOS器件形成了T型栅堆叠，其上部分的栅长度大于下部分的栅长度，从而使得栅沟槽中的金属栅材料填充空间得以增大，有利于降低金属栅的电阻。

主权项

一种用于后栅工艺的平坦化方法，包括以下步骤：A.提供半导体衬底；B.在所述半导体衬底上形成假栅堆叠以及覆盖在所述假栅堆叠上的硬掩膜层；C.在所述半导体衬底中、所述假栅堆叠的两侧形成源/漏区；D.在所述半导体衬底上形成层间介质层；E.对器件表面进行化学机械研磨，以暴露所述硬掩膜层；F.采用刻蚀工艺去除所述硬掩膜层，以暴露所述假栅堆叠；G.采用刻蚀工艺去除所述假栅堆叠以形成栅沟槽；H.在所述栅沟槽中形成替代栅。