[发明专利]一种原位制备太阳能电池的方法有效

专利信息
申请号: 201010274489.3 申请日: 2010-09-07
公开(公告)号: CN101950779A 公开(公告)日: 2011-01-19
发明(设计)人: 夏洋;刘邦武;李超波;刘杰;汪明刚;李勇滔 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所;嘉兴科民电子设备技术有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 北京市德权律师事务所 11302 代理人: 王建国
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种原位制备太阳能电池的方法,属于太阳能电池制造技术领域。所述制备方法包括:对硅片进行预处理;将经预处理后的硅片放置于等离子体浸没离子注入机的注入腔室内,利用等离子体浸没离子注入工艺,完成黑硅的制备,在所述黑硅上制作PN结和形成钝化层;将已完成PN结制作和钝化层形成的黑硅从等离子体浸没离子注入机取出,在黑硅的背面制备金属背电极,在钝化层上制备金属栅极,经封装后制成太阳能电池。本发明原位制备太阳能电池的方法能够在原位实现黑硅制备、PN结制作和钝化层成形,从而大大减少了制备太阳能电池所需的设备,大幅降低了太阳能电池的制作成本,并且工艺过程简单,易于控制。
搜索关键词: 一种 原位 制备 太阳能电池 方法
【主权项】:
一种原位制备太阳能电池的方法,其特征在于,所述方法包括:(a)对硅片进行预处理;(b)将经预处理后的所述硅片放置于等离子体浸没离子注入机的注入腔室内,利用等离子体浸没离子注入工艺,完成黑硅的制备,在所述黑硅上制作PN结以及形成钝化层;(c)将所述已完成PN结制作和钝化层形成的黑硅从所述等离子体浸没离子注入机取出,在所述黑硅的背面制备金属背电极,在所述钝化层上制备金属栅极,经封装后形成太阳能电池。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;嘉兴科民电子设备技术有限公司,未经中国科学院微电子研究所;嘉兴科民电子设备技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010274489.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top