[发明专利]一种原位制备太阳能电池的方法有效
申请号: | 201010274489.3 | 申请日: | 2010-09-07 |
公开(公告)号: | CN101950779A | 公开(公告)日: | 2011-01-19 |
发明(设计)人: | 夏洋;刘邦武;李超波;刘杰;汪明刚;李勇滔 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所;嘉兴科民电子设备技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人: | 王建国 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种原位制备太阳能电池的方法,属于太阳能电池制造技术领域。所述制备方法包括:对硅片进行预处理;将经预处理后的硅片放置于等离子体浸没离子注入机的注入腔室内,利用等离子体浸没离子注入工艺,完成黑硅的制备,在所述黑硅上制作PN结和形成钝化层;将已完成PN结制作和钝化层形成的黑硅从等离子体浸没离子注入机取出,在黑硅的背面制备金属背电极,在钝化层上制备金属栅极,经封装后制成太阳能电池。本发明原位制备太阳能电池的方法能够在原位实现黑硅制备、PN结制作和钝化层成形,从而大大减少了制备太阳能电池所需的设备,大幅降低了太阳能电池的制作成本,并且工艺过程简单,易于控制。 | ||
搜索关键词: | 一种 原位 制备 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】:
一种原位制备太阳能电池的方法,其特征在于,所述方法包括:(a)对硅片进行预处理;(b)将经预处理后的所述硅片放置于等离子体浸没离子注入机的注入腔室内,利用等离子体浸没离子注入工艺,完成黑硅的制备,在所述黑硅上制作PN结以及形成钝化层;(c)将所述已完成PN结制作和钝化层形成的黑硅从所述等离子体浸没离子注入机取出,在所述黑硅的背面制备金属背电极,在所述钝化层上制备金属栅极,经封装后形成太阳能电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的