[发明专利]带有自适应线性化偏置电路的射频功率放大器在审
| 申请号： | 201010274707.3 | 申请日： | 2010-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN101924522A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 张宗楠;陈立强;张健;张海英 | 申请（专利权）人： | 沈阳中科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/20 | 分类号： | H03F3/20 |
| 代理公司： | 沈阳亚泰专利商标代理有限公司 21107 | 代理人： | 郭元艺 |
| 地址： | 110179 辽宁省沈阳市浑*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属通信技术领域，具体而言，涉及一种带有自适应线性化偏置电路的射频功率放大器，它包括自适应线性化偏置电路部分(101)及与其相接的射频放大器单元电路(102)；所述自适应线性化偏置电路部分(101)包括线性化偏置电路及自适应电路部分(103)；所述线性化偏置电路中偏置异质结双极型晶体管(HBT2)的发射极与射频放大器单元电路(102)放大异质结双极型晶体管(HBT1)的基极相接；所述自适应电路部分(103)含有自适应电容(Cadaptive)；所述自适应电容(Cadaptive)与线性化偏置电路中的隔直电容(C1)并接。本发明可以明显提升功率放大器的线性度及效率。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 自适应 线性化 偏置 电路 射频 功率放大器 | ||
【主权项】：
一种带有自适应线性化偏置电路的射频功率放大器，包括自适应线性化偏置电路部分(101)及与其相接的射频放大器单元电路(102)；所述自适应线性化偏置电路部分(101)包括线性化偏置电路及自适应电路部分(103)；所述线性化偏置电路中偏置异质结双极型晶体管(HBT2)的发射极与射频放大器单元电路(102)放大异质结双极型晶体管(HBT1)的基极相接；所述自适应电路部分(103)含有自适应电容(Cadaptive)，部分输入信号经自适应电容(Cadaptive)耦合到偏置异质结双极型晶体管(HBT2)的发射极；所述自适应电容(Cadaptive)与线性化偏置电路中的隔直电容(C1)并接。
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