[发明专利]一种高动态范围的像素单元及图像传感器有效
| 申请号： | 201010274803.8 | 申请日： | 2010-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102387316A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 刘坤;汪立;胡文阁 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/335 | 分类号： | H04N5/335;H04N5/341 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高动态范围的像素单元，具有4T结构，所述像素单元的复位晶体管栅极部分与光电二极管区域重叠构成第一电荷存储栅；行选通晶体管栅极部分与光电二级管区域重叠构成第二电荷存储栅。本发明还提供了一种高动态范围的图像传感器。本发明像素单元中复位晶体管栅极部分与光电二极管区域重叠构成第一电荷存储栅，行选通晶体管栅极部分与光电二极管区域的重叠构成第二电荷存储栅，且利用复位信号控制第一电荷存储栅，行选择信号控制第二电荷存储栅。增加了像素单元存储电荷的能力，扩大了像素单元的动态范围，同时还减小了金属走线的难度、增加了像素单元的填充比、及减小了像素单元的芯片面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 动态 范围 像素 单元 图像传感器 | ||
【主权项】：
一种高动态范围的像素单元，具有4T结构；其特征在于：所述像素单元的复位晶体管栅极部分与光电二极管区域重叠构成第一电荷存储栅；行选通晶体管栅极部分与光电二级管区域重叠构成第二电荷存储栅。
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