[发明专利]光掩模制造方法

摘要

本发明涉及一种光掩模制造方法，具体涉及一种从光掩模坯料制造光掩模的方法，该光掩模坯料包括透明衬底以及由含有过渡金属的硅基材料制成的上层和下层构成的遮光膜，上层中的O+N含量比下层中的高。在两个步骤中通过如下加工遮光膜：通过抗蚀图进行氟干法蚀刻使得上述膜的下方部分得以保留，以及含氧的氯干法蚀刻，用于移除上述膜的剩余部分。

主权项

一种从光掩模坯料制造光掩模的方法，该光掩模坯料包括透明衬底以及位于其上的遮光膜，遮光膜由含有过渡金属的硅基材料制成的上层和下层构成，至少上层含有氧和/或氮，上层中的氧和氮的总含量比下层中的氧和氮的总含量高，所述方法包括：第一阶段的蚀刻步骤，使用形成在遮光膜上的抗蚀图作为蚀刻掩模，用氟基蚀刻剂气体干法蚀刻遮光膜，用于仅移除全部上层、或者全部上层以及位于远离透明衬底的下层的部分，使得位于邻近透明衬底的下层的至少一部分得到保留，以及第二阶段的蚀刻步骤，使用含氧的氯基蚀刻剂气体干法蚀刻遮光膜，以移除通过第一阶段蚀刻步骤未移除的遮光膜的剩余部分，由此将遮光膜处理成所需图案。