[发明专利]用于透射电子显微镜检测的半导体结构的制备方法和结构有效
| 申请号： | 201010274956.2 | 申请日： | 2010-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN102386125A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 何伟业;庞凌华;王玉科;聂佳相;杨瑞鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于制备透射电子显微镜检测的半导体样本的方法，所述方法包括以下步骤：提供前端器件，在所述前端器件上形成有介电材料层；在所述介电材料层上沉积阻挡层；在所述阻挡层上沉积第一种晶层；在所述第一种晶层上设置界面层；在所述界面层上沉积第二种晶层；在所述第二种晶层上设置填充层。本发明还公开了一种用于透射电子显微镜检测的半导体结构。根据本发明的方法和结构，可以方便地应用于半导体制造过程的铜互连技术中，并对于阻挡层和种晶层阶梯覆盖进行透射电子显微镜检测，并且能够保证在透射电子显微镜取样期间通孔不会变形，以及能够进一步清晰地得到对于阻挡层和种晶层阶梯覆盖的透射电子显微镜检测图像。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 透射 电子显微镜 检测 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制备透射电子显微镜检测的半导体样品的方法，所述方法包括以下步骤：提供前端器件，在所述前端器件上形成有介电材料层；在所述介电材料层上沉积阻挡层；在所述阻挡层上沉积第一种晶层；在所述第一种晶层上设置界面层；在所述界面层上沉积第二种晶层；在所述第二种晶层上设置填充层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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