[发明专利]形成金属化合物薄膜的方法无效
| 申请号： | 201010274968.5 | 申请日： | 2010-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN102383098A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 何伟业;胡宇慧 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/35;C23C14/06;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;徐丁峰 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种形成金属化合物薄膜的方法，包括：提供前端器件结构，将前端器件结构置于反应腔室内的底部，反应腔室具有溅射装置和电感耦合等离子体装置，溅射装置具有位于反应腔室内的顶部的靶，电感耦合等离子体装置用于在前端器件结构表面的区域形成等离子体区域；采用溅射装置在前端器件结构上形成由靶的材料构成的靶材料薄膜；在溅射装置关闭且在电感耦合等离子体装置开启的情况下通入反应气体使反应气体与靶材料薄膜反应，以形成金属化合物薄膜。根据本发明，能够保证所形成的靶材料薄膜不会因为含有其它杂质而改变其自身的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 金属 化合物 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种形成金属化合物薄膜的方法，包括：(a)提供前端器件结构，将所述前端器件结构置于反应腔室内的底部，所述反应腔室具有溅射装置和电感耦合等离子体装置，所述溅射装置具有位于所述反应腔室内的顶部的靶，所述电感耦合等离子体装置用于在所述前端器件结构表面的区域形成等离子体区域；(b)采用所述溅射装置在所述前端器件结构上形成由所述靶的材料构成的靶材料薄膜；(c)在所述溅射装置关闭且在所述电感耦合等离子体装置开启的情况下通入反应气体使所述反应气体与所述靶材料薄膜反应，以形成所述金属化合物薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010274968.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
