[发明专利]一种相变存储器元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201010274993.3 | 申请日： | 2010-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN102386323A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;徐丁峰 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种相变存储器元件及其制作方法，所述相变存储器元件包括：底部电极；纳米颗粒，所述纳米颗粒位于所述底部电极的上表面；绝缘层，所述绝缘层形成在所述底部电极的上表面未被所述纳米颗粒覆盖的区域；相变层，所述相变层形成在所述纳米颗粒和所述绝缘层之上，并且位于所述底部电极的正上方；以及顶部电极，所述顶部电极形成在所述相变层上对准所述底部电极的位置，其中，所述纳米颗粒用于电连接所述底部电极和所述相变层。根据发明相变存储器元件及其制作方法，能够有效减小底部电极与相变层之间的接触面积，提高底部电极对相变层的加热效率，从而提高相变存储器元件的读写速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 相变 存储器 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器元件，包括：底部电极；纳米颗粒，所述纳米颗粒位于所述底部电极的上表面；绝缘层，所述绝缘层形成在所述底部电极的上表面未被所述纳米颗粒覆盖的区域；相变层，所述相变层形成在所述纳米颗粒和所述绝缘层之上，并且位于所述底部电极的正上方；以及顶部电极，所述顶部电极形成在所述相变层上对准所述底部电极的位置，其中，所述纳米颗粒用于电连接所述底部电极和所述相变层。
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