[发明专利]一种半导体器件结构

摘要

本发明涉及一种半导体器件结构，半导体器件结构包括待测金属互连线，以及对待测金属互连线进行短路、断路失效分析的测试结构，测试结构包含两个梳状结构和一个蛇形金属线，分别属于两个梳状结构的指型结构和蛇形金属线均与待测金属互连线位于同一平面内，且所有指型结构通过内部填充有导电材料的若干通孔分别与两个柄部相连。对本发明的测试结构进行定位短路、断路失效位置时，首先剥层去除柄部，从而断开同一组指型结构之间的连接，然后利用双束显微镜对测试结构进行PVC分析，只有与蛇形金属线发生短路指型结构显现出高亮状态，因此能够立即将短路失效位置定位到某一个具体的指型结构，进而可以提高失效分析的效率。

主权项

一种半导体器件结构，所述半导体器件结构包括嵌有待测金属互连线的第一介电层、依次形成于第一介电层之上的第二介电层和第三介电层，其特征在于，所述半导体器件结构中包含有测试结构，所述测试结构包括：第一梳状结构，所述第一梳状结构包括位于第一介电层中的若干相互平行的第一指型结构、位于所述第二介电层中的若干填充有导电材料的第一通孔以及位于所述第三介电层中的第一柄部，各所述第一指型结构的同侧一端通过所述第一通孔连接至所述第一柄部；第二梳状结构，所述第二梳状结构包括位于第一介电层中的若干相互平行的第二指型结构、位于所述第二介电层中的若干填充有导电材料的第二通孔以及位于所述第三介电层中的第二柄部，各所述第二指型结构的同侧一端通过所述第二通孔连接至所述第二柄部，所述第一指型结构与所述第二指型结构相互穿插；蛇形金属线，所述蛇形金属线、所述第一指型结构与所述第二指型结构均处于同一平面且互不接触，所述蛇形金属线位于相互穿插的所述第一指型结构与所述第二指型结构之间。