[发明专利]一种清洁多层金属互连结构的方法无效
| 申请号： | 201010275094.5 | 申请日： | 2010-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN102386060A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 刘轩;杨永刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;谢栒 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种清洁多层金属互连结构的方法，所述方法包括：提供多层金属互连结构，该多层金属互连结构具有待沉积金属的凹槽和/或通孔；电荷去除步骤，即采用去离子水去除所述多层金属互连结构的表面的电荷；清洗步骤，其中，采用化学清洗液清洗所述多层金属互连结构的表面；漂洗步骤，其中，采用去离子水漂洗所述多层金属互连结构的表面。由此，本发明的方法中所述的清洗工艺可以有效地将凹槽和/或通孔表面的电荷释放，且可以去除凹槽和/或通孔表面的副产物，不会带来其它杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 清洁 多层 金属 互连 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种清洁多层金属互连结构的方法，其特征在于，所述方法包括：提供多层金属互连结构，该多层金属互连结构具有待沉积金属的凹槽和/或通孔；电荷去除步骤，其中，采用去离子水去除所述多层金属互连结构的表面的电荷；清洗步骤，其中，采用化学清洗液清洗所述多层金属互连结构的表面；漂洗步骤，其中，采用去离子水漂洗所述多层金属互连结构的表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010275094.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：周边传动浓缩机柔性滑线装置
- 下一篇：把手立管制造方法及其制成的把手立管
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
