[发明专利]钳位电路及闪速电可擦写存储器有效
| 申请号： | 201010275183.X | 申请日： | 2010-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN102385927A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 谷炜炜;杨震;郭兵;金凤吉;詹奕鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种钳位电路，包括二极管和控制装置，控制装置由栅极接地NMOS晶体管(GGNMOS)构成。其中，衬底接地，源极、漏极与二极管的负极相电连接，二极管正极接外部电源。本发明通过使用由栅极接接地NMOS晶体管构成的控制装置，在外部电压作用下产生由雪崩击穿和齐纳击穿共同构成的GGNMOS GIDL击穿，从而有效改善钳位电路的温度系数，减小钳位电路的消耗效应。相应地，本发明还涉及一种采用新颖钳位电路的闪速电可擦写存储器，较现有的闪速电可擦写存储器，本发明所提供的闪速电可擦写存储器的温度效应显著改善，在-40～125℃的温度范围内工作电压的稳定性得到改善。 | ||
| 搜索关键词： | 电路 闪速电可 擦写 存储器 | ||
【主权项】：
一种钳位电路，包括二极管；其特征在于：还包括：NMOS晶体管，所述NMOS晶体管的栅极与衬底接地；NMOS晶体管的源极和/或漏极与二极管的负极相电连接；所述二极管的正极接外部电源。
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