[发明专利]互补式金属氧化物半导体元件的制造方法

摘要

本发明公开了一种具有高介电常数介电层与金属栅极的互补式金属氧化物半导体元件的制造方法。此方法为，在基底中形成隔离结构，以定义出第一型、第二型金属氧化物半导体区。然后，在基底上依序形成界面层与高介电常数介电层。接着，在第一型、第二型金属氧化物半导体区的高介电常数介电层上分别形成第一、第二覆盖层。随后，在部分的第一、第二覆盖层上分别形成第一、第二栅极堆叠结构。然后，进行原位湿式蚀刻步骤，依序使用第一蚀刻液，蚀刻第一、第二覆盖层，以及使用第二蚀刻液，蚀刻高介电常数介电层与界面层，至暴露出基底。其中，第二蚀刻液中为包含第一蚀刻液的混合蚀刻液。

主权项

一种互补式金属氧化物半导体元件的制造方法，包括：在基底中形成隔离结构，以定义出第一型金属氧化物半导体区与第二型金属氧化物半导体区；在该基底上依序形成界面层与高介电常数介电层；在该第一型金属氧化物半导体区与该第二型金属氧化物半导体区的该高介电常数介电层上分别形成第一覆盖层与第二覆盖层；在部分的该第一覆盖层与部分的该第二覆盖层上分别形成第一栅极堆叠结构与第二栅极堆叠结构，其中该第一栅极堆叠结构与该第二栅极堆叠结构包含由该基底上方起的第一导体层、第二导体层与硬掩模层；以及进行原位湿式蚀刻步骤，依序使用第一蚀刻液，蚀刻该第一覆盖层与该第二覆盖层，以及使用第二蚀刻液，蚀刻该高介电常数介电层与该界面层，至暴露出该基底，其中该第二蚀刻液为包含该第一蚀刻液的混合蚀刻液。