[发明专利]一种基于KTN晶体的变焦透镜的轴向随机扫描方法无效
| 申请号： | 201010275473.4 | 申请日： | 2010-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN101963699A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 杜睿;曾绍群;骆清铭 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G02B26/10 | 分类号： | G02B26/10;G02F1/03 |
| 代理公司： | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人： | 唐正玉 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于KTN晶体的变焦透镜的轴向随机扫描方法，包括如下步骤：提供一种长方体KTN晶体，所述长方体KTN晶体包含Ta和Nb，其中Ta的重量百分比在所述长方体KTN晶体1的两个相对表面之间线性变化；在所述两个相对表面各镀上一电极层，在所述两个相对表面的电极层上施加一电压；将入射波前垂直入射到所述长方体KTN晶体的其他表面，所述长方体KTN晶体对所述入射波前进行折射并聚焦，其中所述入射波前为平面波；改变施加在所述两个相对表面的电极层上的电压，进而改变所述长方体KTN晶体对所述入射波前聚焦的焦距。本方法扫描范围理论上可以达到500μm，可运用于神经元和神经回路功能的研究。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 ktn 晶体 变焦 透镜 轴向 随机 扫描 方法 | ||
【主权项】：
一种基于KTN晶体的变焦透镜的轴向随机扫描方法，包括如下步骤：提供一种长方体KTN晶体，所述长方体KTN晶体包含Ta和Nb，其中Ta的重量百分比在所述长方体KTN晶体1的两个相对表面之间线性变化；在所述两个相对表面各镀上一电极层，在所述两个相对表面的电极层上施加一电压；将入射波前垂直入射到所述长方体KTN晶体的其他表面，所述长方体KTN晶体对所述入射波前进行折射并聚焦，其中所述入射波前为平面波；改变施加在所述两个相对表面的电极层上的电压，进而改变所述长方体KTN晶体对所述入射波前聚焦的焦距。
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