[发明专利]一种氧化锌基薄膜晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 201010275718.3 | 申请日： | 2010-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102403360A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 韩德栋;王漪;张盛东;孙雷;张韬;任奕成;韩汝琦 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 张肖琪 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种氧化锌基薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。该氧化锌基薄膜晶体管包括衬底、栅电极、栅介质层、沟道层和源漏电极，衬底是玻璃或者塑料；在衬底上由氧化锌或掺杂Al或者Ga氧化锌导电材料形成栅电极；半导体沟道是由氧化锌及其掺杂半导体材料形成；栅绝缘介质层是由氧化锌绝缘材料形成，设置于栅极和半导体沟道之间；源端和漏端电极是由氧化锌或掺杂Al或者Ga氧化锌导电材料形成。本发明为全氧化锌基薄膜晶体管，可提高器件各层薄膜之间的匹配度，降低了栅绝缘介质层和半导体沟道层之间的失配率，减少界面电荷密度，从而大大提高半导体沟道层的载流子迁移率，使氧化锌薄膜晶体管的性能得到了有效改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化锌 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化锌基薄膜晶体管，包括衬底、栅电极、栅介质层、沟道层和源、漏电极，其中，衬底是玻璃或者塑料，其特征在于，在衬底上为一氧化锌或掺杂Al或者Ga的氧化锌导电材料层，刻蚀形成栅电极；在栅电极之上为一氧化锌绝缘材料层，刻蚀形成栅绝缘介质层；在栅绝缘介质层之上为一氧化锌及其掺杂半导体材料层，刻蚀形成半导体沟道；再生长一氧化锌或掺杂Al或者Ga的氧化锌导电材料，刻蚀形成源端和漏端电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010275718.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种柴油泵总成泄压阀的改进结构
- 下一篇：一种单向阀装置
- 同类专利
- 专利分类
