[发明专利]使用湿法刻蚀制备超级结器件的方法

摘要

本发明公开了一种使用湿法刻蚀制备超级结器件的方法，包括：一，在硅基板上成长外延层；二，在硅片的正反面形成介质膜；三，正面用光刻胶定义图形，干法刻蚀打开介质膜；四，去除光刻胶，用介质膜作为掩膜层，使用湿法各向异性刻蚀形成垂直的深沟槽；五，清洗后在深沟槽内填充成长与步骤一外延层类型相反的外延层，以形成交替排列的P型和N型结构；六，用化学机械抛光法进行平坦化处理，停在介质膜上；七，用湿法刻蚀去除正反面的介质膜；八，后续工艺采用成熟的纵向双扩散金属氧化物半导体即可制备完整的超级结器件。本发明对硅基板损伤较小，减少PN结界面缺陷，降低漏电流，且能保证深沟槽的垂直形貌和面内形貌均匀性，还可降低生产成本。

主权项

一种使用湿法刻蚀制备超级结器件的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，在硅基板上成长外延层；步骤二，在硅片的正面和背面同时形成介质膜；步骤三，正面用光刻胶定义图形，用干法刻蚀的方法打开介质膜；步骤四，去除光刻胶，利用介质膜作为掩膜层，使用湿法各向异性刻蚀形成垂直的深沟槽结构；步骤五，清洗后在深沟槽内填充成长与步骤一的外延层类型相反的外延层，以形成交替排列的P型和N型的结构；步骤六，使用化学机械抛光的方法进行平坦化处理，停在介质膜上；步骤七，利用湿法刻蚀去除正反面的介质膜，即可形成P型和N型交替排列的结构；步骤八，后续工艺采用成熟的纵向双扩散金属氧化物半导体即可制备完整的超级结器件。