[发明专利]掺氮纳米金刚石薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201010277501.6 | 申请日： | 2010-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN102399092A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 王兵 | 申请（专利权）人： | 西南科技大学 |
| 主分类号： | C04B41/50 | 分类号： | C04B41/50 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 卿诚;吴彦峰 |
| 地址： | 621000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明是掺氮纳米金刚石薄膜的制备方法。包括：a、以硝基苯甲醛、C60、氨基酸为原料，合成得到C60含氮衍生物；b、将C60含氮衍生物溶入甲苯中形成甲苯溶液，放入液态源容器中；c、将单晶硅基片放入微波等离子体反应腔中的样品台上，开启微波发生器，并向液态源容器通入氩气，通过液体鼓泡法用氩气将C60含N衍生物分子载入反应腔中并在微波能激励下共同形成等离子体金刚石薄膜。本发明生成的掺氮纳米金刚石薄膜电子电导率大，最高达1.31×102Ω-1cm-1，迁移率也较高，对应电导率最大值时可到22cm2/V·s。本发明制备高电导率n型金刚石膜方法简便，实施容易。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 金刚石 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种掺氮纳米金刚石薄膜的制备方法，其特征在于包括以下骤：a、以硝基苯甲醛、C60、氨基酸为原料，合成得到C60含氮衍生物；b、将C60含氮衍生物溶入甲苯中形成甲苯溶液，甲苯溶液中C60含氮衍生物摩尔浓度为0.15％～0.55％，并将其放入液态源容器中；c、将单晶硅基片放入微波等离子体反应腔中的样品台上，开启微波发生器，并向液态源容器通入氩气，通过液体鼓泡法用氩气将C60含N衍生物分子载入反应腔中并在微波能激励下共同形成等离子体金刚石薄膜；其中氩气流量为200～400mL/min，微波功率1200W～1300W，气体压力保持10000～13000Pa，并维持4～5h。
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