[发明专利]一种含氟清洗液有效

专利信息
申请号: 201010277703.0 申请日: 2010-09-10
公开(公告)号: CN102399648A 公开(公告)日: 2012-04-04
发明(设计)人: 刘兵;彭洪修;孙广胜 申请(专利权)人: 安集微电子(上海)有限公司
主分类号: C11D7/32 分类号: C11D7/32;C11D7/26;C11D7/08;C11D7/10;C11D7/50;G03F7/42;H01L21/02
代理公司: 上海翰鸿律师事务所 31246 代理人: 李佳铭
地址: 201203 上海市浦东新区张江高*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种具有低氮氧化硅刻蚀速率的半导体工业用含氟清洗液,该清洗液组合物含有:a)氟化物     0.1%~20%,b)多元醇0.01%~20%,c)水5%~75%,d)溶剂1%~75%,e)其他添加剂 0~20%。本发明的清洗液组合物可有效地清洗半导体制造过程中等离子刻蚀残留物,同时对于基材如低介质材料(SiO2、PETEOS)和一些金属物质(如Ti,Al,Cu)等具有较低的蚀刻速率;特别是氮氧化硅刻蚀速率较低,从而进一步扩大含氟清洗液的清洗操作窗口,并进一步提高含氟清洗液的使用寿命,降低半导体厂的运营成本,在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。
搜索关键词: 一种 清洗
【主权项】:
一种含氟清洗液,其包括:氟化物、多元醇、水、溶剂;其中:所述多元醇的重量百分比含量为0.01%~20%,所述水的重量百分比含量为5%~75%。
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