[发明专利]一种柔性热敏薄膜电阻阵列的制作方法

摘要

本发明公开了一种柔性热敏薄膜电阻阵列的制作方法，属于微机电系统(MEMS)领域。该方法首先在硅片上沉积一层牺牲层；在其上旋涂PI预聚体，经热固化形成PI薄膜；然后旋涂光刻胶，光刻图形化后溅射所需的金属热敏薄膜层；采用剥离的方法得到热敏薄膜层图形；之后再旋涂光刻胶，光刻图形化后电镀形成电连接金属层；去胶后可以对热敏电阻进行热处理；最后沉积一层聚对二甲苯保护层，去除牺牲层后得到柔性薄膜电阻阵列。本发明工艺简单，热敏电阻的连接性更为可靠，导线电阻的干扰也较小，使得其作为传感器敏感元件时测量精度大为提高，且能够在保证感器敏感性的条件下，应用于潮湿、水下等环境。

主权项

一种柔性热敏薄膜电阻阵列的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：清洗硅片，去除表面原生氧化层、有机物污染，然后干燥；步骤二：在硅片表面沉积一层牺牲层；步骤三：采用多次涂布的方法，旋涂PI预聚体，采用阶梯升温法热固化形成PI薄膜；步骤四：旋涂光刻胶，并对其进行光刻、显影，使热敏电阻阵列及其电连接部分的图形定义在光刻胶图形层；所述电连接部分包括导线和焊盘；步骤五：在光刻胶图形层上溅射所需的金属热敏薄膜层；步骤六：去除光刻胶图形层，同时剥离掉光刻胶图形层上附着的金属热敏薄膜，使需要的热敏薄膜层图形保留下来，然后干燥；步骤七：旋涂光刻胶，对其进行光刻、显影，使电连接层的图形定义在光刻胶图形层；步骤八：采用电镀的方法，沉积一层电连接层，由于光刻胶图形层的遮挡，只有电连接部分沉积出金属电连接层，热敏电阻部分被光刻胶图形层保护起来；步骤九：将光刻胶图形层去除，之后对热敏电阻进行热处理，消除薄膜沉积时产生的应力；步骤十：将焊盘部分保护后，放入聚对二甲苯(parylene)的沉积室，沉积一层聚对二甲苯保护层，沉积结束后裸露出焊盘；步骤十一：划片后用对应的牺牲层刻蚀液去除牺牲层，释放PI薄膜，得到柔性热敏薄膜电阻阵列。