[发明专利]锗硅BiCMOS工艺中的寄生PNP双极晶体管

摘要

本发明公开了一种锗硅BiCMOS工艺中的寄生PNP双极晶体管，其基区由第一基区和局部基区组成，第一基区形成于有源区中且深度大于浅槽场氧底部的深度、且第一基区的底部横向延伸进入有源区两侧浅槽场氧底部。局部基区形成于第一基区的上部区域中且局部基区掺杂浓度大于第一基区的掺杂浓度。在有源区第一侧浅槽场氧底部形成有N型赝埋层，在N型赝埋层顶部形成深孔接触引出基极。在有源区第一侧浅槽场氧底部形成有P型赝埋层，由P型赝埋层组成集电区，集电区和有源区相隔一横向距离。发射区由形成于有源区上方的P型锗硅外延层组成。本发明能缩小器件面积、提高器件电流放大系统，能器件调节击穿电压，且制造工艺能和锗硅BiCMOS工艺兼容。

主权项

一种锗硅BiCMOS工艺中的寄生PNP双极晶体管，形成于P型硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，其特征在于，所述寄生PNP双极晶体管包括：一基区，由第一基区和局部基区组成，所述第一基区由形成于所述有源区中的第一N型离子注入区组成，所述第一基区的深度大于所述浅槽场氧底部的深度、且所述第一基区的底部横向延伸进入所述有源区两侧的所述浅槽场氧底部；所述局部基区由形成于所述第一基区的上部区域中的第二N型离子注入区组成，所述局部基区的掺杂浓度大于所述第一基区的掺杂浓度，所述局部基区的深度小于所述浅槽场氧底部的深度；一N型赝埋层，由形成于所述有源区第一侧的所述浅槽场氧底部的第三N型离子注入区组成，所述N型赝埋层和所述第一基区形成接触，通过在所述N型赝埋层顶部的所述浅槽场氧中形成的深孔接触引出所述基极；一集电区，由形成于所述有源区第二侧的所述浅槽场氧底部的P型赝埋层组成，所述P型赝埋层在横向位置上和所述有源区相隔一横向距离、且所述P型赝埋层和所述第一基区的底部横向延伸进入所述浅槽场氧底部的部分相接触，通过调节所述P型赝埋层和所述有源区的横向距离调节所述第一基区的底部宽度从而调节所述寄生PNP双极晶体管的击穿电压，通过在所述P型赝埋层顶部的所述浅槽场氧中形成的深孔接触引出所述集电极；一发射区，由形成于所述有源区顶部的P型锗硅外延层组成并和所述局部基区形成接触，通过一金属接触引出所述发射极。