[发明专利]栅氧化层形成方法有效
| 申请号： | 201010278598.2 | 申请日： | 2010-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101937840A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 令海阳;叶滋婧 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种栅氧化层形成方法，所述栅氧化层形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有浅沟槽隔离结构；在所述浅沟槽隔离结构两侧的半导体衬底上形成垫氧化层；进行离子注入工艺；在所述半导体衬底上形成栅隔离层并刻蚀所述栅隔离层，以形成栅极区；在所述栅极区形成第一栅氧化层；依次去除所述栅隔离层和垫氧化层，同时，所述第一栅氧化层被部分刻蚀以形成第二栅氧化层。本发明无需在栅氧化层上形成掩膜层，有利于节约生产成本，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种栅氧化层形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有浅沟槽隔离结构；在所述浅沟槽隔离结构两侧的半导体衬底上形成垫氧化层；进行离子注入工艺；在所述半导体衬底上形成栅隔离层并刻蚀所述栅隔离层，以形成栅极区；在所述栅极区上形成第一栅氧化层；依次去除所述栅隔离层和垫氧化层，同时，所述第一栅氧化层被部分刻蚀以形成第二栅氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
