[发明专利]低粗糙度的光波导器件的制造方法无效
| 申请号： | 201010278612.9 | 申请日： | 2010-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN102004281A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 余泳 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/136 | 分类号： | G02B6/136;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种低粗糙度的光波导器件的制造方法，用于在绝缘体上硅工艺中制作低粗糙度的光波导器件，绝缘体上硅依次包括衬底层、氧化掩埋层和顶层单晶硅。该制造方法包括以下步骤：在顶层单晶硅上沉积硬质掩模层；在硬质掩模层上涂覆光刻胶并曝光显影；刻蚀未被光刻胶覆盖的部分硬质掩模层至曝露出部分顶层单晶硅的一定厚度；去除残留光刻胶；氧化暴露出的顶层单晶硅，在顶层单晶硅上形成氧化层；以及湿法刻蚀掉氧化层至顶层单晶硅。本发明所提供的低粗糙度的光波导器件的制造方法，利用湿法刻蚀的方法重新刻蚀单晶硅顶层上的氧化层，使得刻蚀出的单晶硅顶层的粗糙度大大降低，从而减少光波导器件的光传播损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 粗糙 波导 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种低粗糙度的光波导器件的制造方法，用于在绝缘体上硅工艺中制作低粗糙度的光波导器件，所述绝缘体上硅依次包括衬底层、氧化掩埋层和顶层单晶硅，其特征是，所述制造方法包括以下步骤：在所述顶层单晶硅上沉积硬质掩模层；在所述硬质掩模层上涂覆光刻胶并曝光显影；刻蚀未被光刻胶覆盖的部分硬质掩模层至曝露出部分顶层单晶硅的一定厚度；去除残留光刻胶；氧化暴露出的所述顶层单晶硅，在所述顶层单晶硅上形成氧化层；以及湿法刻蚀掉所述氧化层至所述顶层单晶硅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010278612.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：24V云台自动运行控制器
- 下一篇：聚压内循环多燃发动机
