[发明专利]基于碳化硅结型场效应管的β辐照探测器

摘要

本发明公开了一种基于碳化硅金属半导体场效应晶体管结构的β射线辐照探测器，主要解决现有β辐照探测器抗辐照性能不佳和能量转换效率低的问题。该探测器自下而上包括n型衬底(8)、p型缓冲层(7)、浓度为3.5～4×1017cm-3的n型沟道(6)、n型缓冲层(5)和欧姆接触层(4)，欧姆接触层上淀积源漏极(2)，n型缓冲层上淀积半透明肖特基接触层(1)，肖特基接触层由高势垒肖特基金属Au/Ti/Pt构成，其埋入n型缓冲层(5)的深度为0.06～0.08μm，栅极和源漏极以外的表面区域覆盖一层SiO2钝化层(3)。本发明具有抗辐照能力强、能量转换效率高、探测效率高的特点，可用于核能中对β射线的探测。

主权项

一种碳化硅结型场效应晶体管β辐照探测器，从上到下包括：高掺杂的P+型栅区(1)、N+型SiC源漏层(4)、N型掺杂的缓冲层(5)、N型沟道层(6)、P型掺杂的缓冲层(7)以及4H‑SiC半绝缘衬底(8)，在P+栅区(1)上和N+源漏区(4)上引出由重掺杂形成的欧姆接触(2)，整个欧姆接触层外边缘矩形区域均有SiO2钝化层(3)，其特征在于：N+型SiC源漏层(4)与N型沟道层(6)之间设有N型掺杂缓冲层(5)；在N型沟道层(6)和4H‑SiC半绝缘衬底(8)之间设有P型掺杂缓冲层(7)，形成双层缓冲层结构。