[发明专利]基板液处理装置以及处理液生成方法有效
申请号: | 201010278933.9 | 申请日: | 2010-09-08 |
公开(公告)号: | CN102024693A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 江岛和善 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种基板液处理装置和处理液生成方法。该基板液处理装置无论同时使用的处理液的流量如何都能够生成规定浓度的处理液。该基板液处理装置包括:多个基板处理部,其用处理液处理基板;处理液生成部,其通过使气体溶解于溶剂而生成规定浓度的处理液,将该处理液作为同时向多个基板处理部中的一个或两个以上基板处理部供给的处理液;控制部,其控制处理液生成部和多个基板处理部;其中,使自溶剂供给源供给的溶剂分支流入用于借助气体溶解器使气体溶解于溶剂的溶解流路、以及与溶解流路并列连接的旁路流路中,改变旁路流路的流路阻力,使得在溶解流路中流动的溶剂的流量与在旁路流路中流动的溶剂的流量的比例恒定。 | ||
搜索关键词: | 基板液 处理 装置 以及 生成 方法 | ||
【主权项】:
一种基板液处理装置,其包括:多个基板处理部,其用于利用处理液处理基板;处理液生成部,其通过使气体溶解于溶剂来生成规定浓度的上述处理液,将上述处理液作为同时向上述多个基板处理部中的一个或两个以上基板处理部供给的处理液;控制部,其用于控制上述处理液生成部和上述多个基板处理部,其特征在于,上述处理液生成部包括:溶剂供给管,其连接于溶剂供给源,用于供给上述溶剂;溶解流路,其用于使上述气体溶解于自上述溶剂供给管供给的上述溶剂;旁路流路,其与上述溶解流路并列连接地设置,用于供上述溶剂流动;阻力改变部件,其用于改变上述旁路流路的流路阻力;上述控制部控制阻力改变部件,使得在上述溶解流路中流动的上述溶剂的流量与在上述旁路流路中流动的上述溶剂的流量的比例恒定。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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