[发明专利]用于提高图像传感器的量子效率的嵌入反射屏有效
申请号: | 201010279058.6 | 申请日: | 2010-09-08 |
公开(公告)号: | CN102222674A | 公开(公告)日: | 2011-10-19 |
发明(设计)人: | 施宇豪;陈思莹;陈信龙;刘人诚;杨敦年;简荣亮 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人: | 陆鑫;熊须远 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 描述了反射屏的结构以及制造这种结构的方法,其能够反射没有被图像传感器器件中的光电二极管吸收的光并增加光电二极管的量子效率。这种结构可以应用或使用于任何图像传感器以提高图像质量。这种结构对于具有更小像素尺寸的图像传感器以及对于其吸收长度或深度可以不充分的长波长光或光线来说特别有用,尤其是对于背面照度BSI器件。反射屏可以使穿过图像传感器并反射回到光电二极管的光的吸收深度加倍或者比两倍还多。凹形反射屏具有引导反射光朝向图像传感器的附加优点。 | ||
搜索关键词: | 用于 提高 图像传感器 量子 效率 嵌入 反射 | ||
【主权项】:
一种使用背面照度的图像传感器器件,嵌入有反射屏以增加量子效率,其包括:光电二极管,设置在基板的前表面附近;以及反射屏,设置在所述光电二极管上方,其中所述反射屏被嵌入直接沉积在所述光电二极管上方的介电层内,所述光电二极管适于接收来自所述基板的后表面的光,所述后表面和所述反射屏在所述光电二极管的相对侧,并且所述反射屏适于反射来自所述基板的后表面并穿过所述光电二极管的光子,以使其重新进入所述光电二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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