[发明专利]超高真空离子源晶片清洗系统无效
| 申请号： | 201010279377.7 | 申请日： | 2010-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101935883A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 李强;冯驰;雷訇;姜孟华;惠勇凌 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C30B33/06 | 分类号： | C30B33/06;C30B33/12;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了超高真空离子源晶片清洗系统，包括进样真空室、离子束真空室和磁力传送杆，两真空室由隔离阀门相连接，进样真空室上设有进样阀门、真空泵和观察玻璃窗，离子束真空室上设有观察玻璃窗、真空泵、红外烘烤灯和氢离子源，磁力传送杆贯穿进样真空室和离子束真空室，并且装有具有贴合功能的可移动的基片台，磁力传送杆可将基片台从进样真空室传送至离子束真空室，离子源可垂直对基片台上的晶片进行清洗。本系统在超高真空环境下，通过低能氢离子源对晶片的清洗，在常温或略微加温下进行晶片冷焊接，使多片键合成晶体块，获得低损耗的倍频晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 超高 真空 离子源 晶片 清洗 系统 | ||
【主权项】：
超高真空离子源晶片清洗系统，其特征在于，包括进样真空室、离子束真空室和磁力传送杆(12)，两真空室由隔离阀门(10)相连接，进样真空室上设有进样阀门(1)、机械泵(2)、分子泵(3)和观察玻璃窗(4)，离子束真空室上设有观察玻璃窗(15)、涡旋干泵(6)、分子泵(7)、离子泵(8)、升华泵(9)、红外烘烤灯(11)和氢离子源(13)，磁力传送杆(12)通过隔离阀门(10)贯穿进样真空室和离子束真空室，并且磁力传送杆(12)上装有能够在磁力传送杆(12)上移动且具有贴合功能的基片台(5)，磁力传送杆可将基片台(5)从进样真空室传送至离子束真空室，离子源(13)可垂直对基片台(5)上的晶片进行清洗。
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