[发明专利]一种微机电系统圆片级真空封装方法

摘要

本发明涉及一种微机电系统圆片级真空封装方法，该方法包括如下步骤：加工微机电系统圆片；在玻璃圆片上加工作为封装腔体的凹坑，然后在凹坑周围加工过孔；在加工所得到的玻璃片的凹坑内沉积吸气剂薄膜，在玻璃圆片上设有凹坑的一面制作键合金属层；然后在真空条件下将所得到的玻璃盖板圆片和微机电系统圆片进行气密键合；在玻璃盖板圆片的过孔内沉积金属膜制作电极引线；将所得到的封装结构进行划片，得到微机电系统真空封装器件。本发明方法实现了玻璃盖板与微机电结构之间的可靠结合，保证了良好的气密性，并能保护MEMS器件不受外界污染和破坏，提高MEMS器件的成品率，并且还可以实现批量生产，提高生产效率。

主权项

一种微机电系统圆片级真空封装方法，其特征在于包括如下步骤：(1)在玻璃基板(1)上制作MEMS结构(11)阵列，并制作与外电路电连接的电极金属膜(12)和环形键合金属层(13)，形成包括若干个微机电系统单元的微机电系统圆片(9)；(2)在玻璃基片(2)上加工作为封装腔体的若干个凹坑(3)，并在每个凹坑(3)的周围加工圆形且带有一定锥度的过孔(8)；(3)在玻璃基片(2)上的每个凹坑(3)内表面淀积吸气剂薄膜(4)，并在玻璃基片(2)上设有凹坑(3)的一面上制作键合金属层，形成玻璃盖板圆片(10)，键合金属层的厚度为40～100nm，键合方法为溅射、气相沉积或蒸镀，所述键合金属层包括过孔(8)周围分立的金属层(6)，和包围过孔(8)并与金属层(6)分离的封闭环形金属层(7)；(4)在真空条件下将步骤(1)得到的微机电系统圆片(9)与步骤(3)得到的玻璃盖板圆片(10)进行气密键合，使得一个微机电系统单元与一个凹坑(3)相对应，并使过孔(8)与微机电系统单元的电极金属膜(12)相对应，并且使电极金属膜(12)完全覆盖过孔(8)；(5)在玻璃盖板圆片(10)的过孔(8)内沉积金属膜(5)制作电极引线，完成封装，并对封装结构进行划片，得到单个微机电系统封装器件。