[发明专利]一种三维结构非易失存储器阵列及其制备方法

摘要

本发明提供一种三维结构阻变存储器阵列及其制造方法，属于超大规模集成电路制造技术中的非易失存储器技术领域。本发明三维结构阻变存储器阵列包括衬底和底电极/隔离介质堆栈结构，在底电极/隔离介质堆栈结构上刻蚀出深槽，在深槽侧壁上淀积阻变材料以及顶电极层，其中底电极和顶电极在深槽侧壁上呈十字交叉，交叉点之间有阻变材料，每个交叉点形成一个阻变存储器单元，所有的阻变存储器单元形成三维阻变存储器阵列，阵列中的三维阻变存储器由隔离介质层隔离。本发明可以提高阻变存储器的存储密度，并且简化工艺，降低工艺成本。

主权项

一种三维结构阻变存储器阵列，其特征在于，包括衬底和底电极/隔离介质堆栈结构，在底电极/隔离介质堆栈结构上刻蚀而成多个深槽，在上述深槽内设有阻变材料层和顶电极材料层，形成十字交叉的横向底电极和纵向顶电极，交叉的底电极和顶电极之间为阻变材料，每个交叉结构为一个阻变存储单元，从而形成三维阻变存储器阵列。