[发明专利]精制硅的方法、设备和获得的硅晶体无效
| 申请号： | 201010280201.3 | 申请日： | 2010-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN102398905A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 赵钧永 | 申请（专利权）人： | 赵钧永 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200335 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及精制硅的方法，即从较低纯度的硅获得较高纯度的硅的方法，以及实施该方法的设备和根据该方法获得的硅晶体。适用于从各种纯度的硅或含硅材料制取半导体和光伏领域应用的高纯硅材料或硅晶体。现有的精制硅的方法，存在着能耗大、生成环境危害因子、成本高、工艺复杂、投资大等问题，本发明采用硅籽晶与硅材料和熔剂熔化制成的含硅熔体接触，使硅自熔体中沿籽晶表面结晶析出，得到纯化的硅晶体，经进一步除去熔剂杂质，获得适合于半导体和光伏领域应用的高纯硅或硅晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 精制 方法 设备 获得 晶体 | ||
【主权项】：
精制硅的方法，包括提供硅籽晶和由硅及作为熔剂的非硅物质互熔形成的熔化温度低于硅熔点的含硅熔体，使籽晶的至少部分表面与含硅熔体接触，沿籽晶与含硅熔体接触的表面生成硅晶体，分离所述的硅晶体和含硅熔体，获得精制的硅。
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