[发明专利]一种硅基发光二极管的制备方法无效
| 申请号： | 201010281011.3 | 申请日： | 2010-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN101950786A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 王兴军;王冰;郭瑞民;王磊;周治平 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：S1：制备铒硅氧溶胶；S2：在p型掺杂的硅基体上涂敷所述铒硅氧溶胶，制备铒硅酸盐无机化合物与富硅氧化硅混合物薄膜作为本征层；S3：在p型掺杂的硅基体上沉积一层磷掺杂的硅材料制作n型电极，形成硅基发光二极管。本发明通过制备铒硅酸盐无机化合物与富硅氧化硅混合物薄膜作为硅基发光二极管的本征层，将铒硅酸盐无机化合物中铒离子浓度提高1-2个数量级，富硅氧化硅中纳米硅和铒离子之间的高效能量传递效率可以实现电致发光，从而实现发光二极管获得强的通信波段1.53μm的电致发光。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅基发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：制备铒硅氧溶胶；S2：在p型掺杂的硅基体上涂敷所述铒硅氧溶胶，制备铒硅酸盐无机化合物与富硅氧化硅混合物薄膜作为本征层；S3：在所述本征层上沉积一层磷掺杂的硅材料制作n型电极，形成硅基发光二极管。
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