[发明专利]一种从工业硅中去除硼杂质的方法有效

专利信息
申请号: 201010281559.8 申请日: 2010-09-15
公开(公告)号: CN101941700A 公开(公告)日: 2011-01-12
发明(设计)人: 陈应天;林晨星 申请(专利权)人: 陈应天
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100085 北京市海淀区*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种从工业硅中去除硼杂质的方法,包括将工业硅破碎、磁选、酸洗、烘干,然后在硅粉里加入SiO2和碱性金属化合物,将这些粉状材料混合,再将混合粉体搅拌均匀。在搅拌后的混合粉体添加膨化促进剂,使混合粉体变膨松,然后将膨松的混合粉体置入中频炉、高频炉、太阳炉、新型太阳炉、激光或聚光LED中进行高温熔炼;或者将膨松的混合粉体高压成形,成形后的块料再置入中频炉、太阳炉、新型太阳炉、激光或聚光LED中进行高温熔炼。熔炼后将硅与熔渣冷却并分离,将硅料砸碎并酸洗,即可非常高效率的去除工业硅里的硼元素。
搜索关键词: 一种 工业 去除 杂质 方法
【主权项】:
本发明提出一种通过膨化作用从工业硅中去除硼杂质的方法,其特征包括以下步骤:将工业硅破碎成粉状,然后经过强力磁选机去除铁磁性杂质,并进一步通过酸洗以去除表层的金属杂质;将步骤(1)处理过的硅粉用净水清洗,去除残酸,然后烘干;将步骤(2)处理过的硅颗粒,与粉状的SiO2和碱性金属化合物,然后均匀搅拌;在步骤(3)制备的硅、SiO2和碱性金属化合物的混合物里添加膨化促进剂,使所述的混合物膨化,混合物里面的物质疏松,混合物的体积增加,固体硅颗粒均匀地分布在粉状的渣剂中, 混合物里各种物质的颗粒之间的空隙增加;将步骤(4)处理过的混合物,用中频感应炉,高频频感应炉或者其他高温热炉或太阳炉、激光或聚光LED加热至1700°C ‑2000°C, 使所述的混合物熔化,对熔体进行搅拌使其发生充分的化学萃取反应;将步骤(5) 发生充分的化学反应的熔体里的硅液取出,冷却并与残渣分离,砸碎和酸洗以去除杂质,即可非常高效率的去除工业硅里的硼杂质。
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