[发明专利]具有存储效应的绝缘高分子/石墨烯复合材料及其合成方法和用途无效

专利信息
申请号: 201010283148.2 申请日: 2010-09-16
公开(公告)号: CN101948590A 公开(公告)日: 2011-01-19
发明(设计)人: 李亮;赵旭;张强;陈郁勃;高大志 申请(专利权)人: 武汉工程大学
主分类号: C08L25/06 分类号: C08L25/06;C08L25/18;C08K9/04;C08K3/04
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 崔友明
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及具有存储效应的绝缘高分子/石墨烯复合材料及其合成方法和用途,包括有以下步骤:1)制备单层或多层氧化石墨;2)将步骤1)得到的氧化石墨与异氰酸苯酯在N,N-二甲基甲酰胺中于60-90oC反应12-48小时,抽滤、洗涤和干燥后,得功能化氧化石墨;3)将步骤2)得到的功能化的氧化石墨与绝缘高分子在有机溶剂中超声0.5-2小时,然后向其中加入还原剂,于60-100oC反应24-48小时,倒入甲醇中沉淀,过滤,真空烘干得到绝缘高分子/石墨烯复合材料。本发明显著特点是:1)实验条件温和,操作简单;2)可调控基于该复合材料的存储器件的开启电压和开关电流比,在信息材料领域有较好的应用前景和经济效益。
搜索关键词: 具有 存储 效应 绝缘 高分子 石墨 复合材料 及其 合成 方法 用途
【主权项】:
具有存储效应的绝缘高分子/石墨烯复合材料,其特征在于其组分包括有氧化石墨、异氰酸苯酯、绝缘高分子和还原剂经反应制备而成,所述的组分含量配比为:氧化石墨:异氰酸苯酯:绝缘高分子:还原剂=50mg: 1‑5mmol:0.5‑5g:2‑6mg。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉工程大学,未经武汉工程大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010283148.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top